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英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

近日，為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強(qiáng)大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過(guò)壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機(jī)軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車(chē)電池隔離開(kāi)關(guān)等。英飛凌科技零碳工業(yè)功率
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開(kāi)篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓?fù)浼軜?gòu)，更對(duì)關(guān)鍵電參數(shù)、獨(dú)特性能優(yōu)勢(shì)及設(shè)計(jì)支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實(shí)踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱(chēng)為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵
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為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡？

簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù)，基于雙極結(jié)型晶體
關(guān)鍵字：碳化硅 Cascode

為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡？

簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書(shū)完整版

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://www.104case.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來(lái)了！http://www.104case.com/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測(cè)試結(jié)果。演
關(guān)鍵字： SiC JFET 并聯(lián)設(shè)計(jì)

SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！

隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識(shí)和并聯(lián)設(shè)計(jì)。簡(jiǎn)介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導(dǎo)體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實(shí)際上也是通過(guò)并聯(lián)芯片實(shí)現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
關(guān)鍵字： JFET Cascode 功率半導(dǎo)體

從硅到碳化硅過(guò)渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？

電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù)，基于雙極結(jié)型晶體管（B
關(guān)鍵字： SiC Cascode JFET AC-DC

安森美將收購(gòu)碳化硅JFET技術(shù)，以增強(qiáng)其針對(duì)AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購(gòu)將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車(chē)斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場(chǎng)的部署。SiC JFET的單位面積導(dǎo)通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來(lái)常用的現(xiàn)成驅(qū)動(dòng)器。綜合這
關(guān)鍵字：安森美碳化硅JFET SiC JFET 數(shù)據(jù)中心電源

安森美收購(gòu)Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)

據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿(mǎn)足慣例成交條件，預(yù)計(jì)將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購(gòu)將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對(duì)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動(dòng)汽車(chē)斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場(chǎng)的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
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很基礎(chǔ)的MOS管知識(shí)

半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱(chēng)為單極型三極管，因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管（FET），簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET），另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場(chǎng)效應(yīng)管”你會(huì)發(fā)現(xiàn)，搜索出來(lái)的基本上是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”，出來(lái)的也只有幾種，你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類(lèi)拋棄了的感覺(jué)，沒(méi)錯(cuò)，JFE
關(guān)鍵字：三極管 MOSFET JFET

還分不清結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)

JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過(guò) JFET 的電流通過(guò)反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因?yàn)楹笳咔度肓私^緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱(chēng)為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱(chēng)為“OFF 器件”，
關(guān)鍵字：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 jfet MOSFET 電路設(shè)計(jì)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷

今天給大家講講結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法。用萬(wàn)用表來(lái)判斷JFET極性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，因?yàn)橹挥幸粋€(gè)PN結(jié)要測(cè)：要么在柵極和源極之間測(cè)量，要么在柵極和漏極之間測(cè)量。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法--引腳識(shí)別JFET的柵極對(duì)應(yīng)晶體管的基極，源極對(duì)應(yīng)晶體管的發(fā)射極，漏極對(duì)應(yīng)晶體管的集電極。在這之前講過(guò)關(guān)于三極管測(cè)好壞的方法，極性的判斷。可以點(diǎn)擊標(biāo)題直接跳轉(zhuǎn)。三極管的測(cè)量方法和管腳辨別方法，一文總結(jié)，幾分鐘教你學(xué)會(huì)將萬(wàn)用表設(shè)置為“R×1k”，用兩根表筆測(cè)量每?jī)蓚€(gè)引腳之間的正反向電阻。當(dāng)兩個(gè)引腳的正反向電阻均為幾千歐
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晶體管分類(lèi)有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來(lái)自公眾號(hào)：8號(hào)線攻城獅，主要介紹了晶體管分類(lèi)，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
關(guān)鍵字：晶體管 NPN PNP MOSFET JFET

如何成為硬件高手

　　摘要：駕駛著進(jìn)取號(hào)電子飛船，從發(fā)射區(qū)進(jìn)入充滿(mǎn)黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運(yùn)地躲過(guò)一劫飛到集電結(jié)，受到強(qiáng)大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導(dǎo)線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風(fēng)順，阻力重重的負(fù)載中到處碰壁……　　古人學(xué)問(wèn)無(wú)遺力，少壯工夫老始成。若問(wèn)硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬(wàn)別認(rèn)為看后就能成為高手，當(dāng)然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹(jǐn)以過(guò)往經(jīng)歷和拙見(jiàn)與在校學(xué)生朋友和剛工作的工程師分享共勉。　　理論學(xué)習(xí)　　沒(méi)有滿(mǎn)腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺(jué)得書(shū)海茫茫，不知從何
關(guān)鍵字：仿真 JFET